快科技1月6日消息，據報道，三星DS部門存儲業務部最近完成了HBM4內存的邏輯芯片設計。Foundry業務部方麵也已經根據該設計，采用4nm試產。

HBM，即高帶寬存儲器，憑借其卓越的性能，在高性能計算（HPC）、人工智能（AI）以及圖形處理（GPU）等前沿領域發揮著舉足輕重的作用。

據知情人士透露，運行時發熱一直是製約HBM發展的主要障礙，而在整個堆棧結構中，邏輯芯片更是發熱的“重災區”。因此，采用先進的製程技術對於提升HBM4的能效與性能表現至關重要。

在製造方麵，三星不僅利用自家4nm技術製造邏輯芯片，還引入了10nm製程來生產DRAM，以打造更為出色的HBM4產品。

從行業數據來看，HBM4標準支持高達2048位的接口和6.4GT/s的數據傳輸速率。與HBM3E相比，HBM4的單個堆棧帶寬已飆升至1.6TB/s，這一顯著的提升使得內存係統的數據吞吐能力大幅增強，從而能夠更有效地滿足人工智能、深度學習、大數據處理以及高性能計算等領域對內存性能的嚴苛要求。

目前，三星的HBM4開發工作正穩步推進，預計將於2025年下半年正式投入量產。

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責任編輯：鹿角